IT之家 5 月 3 日消息，存储巨头美光科技（Micron）第二财季创下了营收、毛利率、每股收益和自由现金流的多项纪录。 美光 CEO 桑杰・梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在接受 CNBC 采访时指出，当前的 AI 浪潮仅处于“早期阶段”，随着 AI 智能体的崛起，更高速、更大容量的存储已成为支撑 AI 发挥全部能力的战略资产。 他表示，随着推理端迎来拐点，Token 生成需求的扩大对内存速度和容量提出了极高要求。然而目前存储行业正面临供应极其紧张的局面，且产能提升并非易事。 AI 确实处在非常早期的阶段，你们刚刚在 GTC 大会上已经看到了 AI 领域有多么大的进步。内存是一项战略资产，为了让 AI 能够发挥其全部能力，你需要更多的内存、需要性能更快的内存。这是一个推理的拐点。随着推理应用的扩大，对 Token 的需求会随之提升，而这些 Token 需要高速处理，这就需要更多的内存、需要更快的内存，才能释放内存的全部潜力。 他还指出，问题不在于需求或定价，而在于供应商根本无法解决的产能问题，且展望未来，情况也不会有所好转。“目前内存供应非常紧张，而且供应无法轻易跟上，这些都能在我们的业绩中看到。” 美光预测，AI 对 DRAM 和 NAND 的需求预计将在今年超过行业总市场规模（TAM）的 50%。 在技术进展方面，美光正积极应对 GPU 领域对 HBM 标准的迭代需求。公司正为英伟达的 Vera Rubin 平台供应 HBM4 36GB（12 层堆叠）DRAM 样品，并预计其现有 HBM3 工艺的良率将趋于成熟，下一代 HBM4E 内存则计划于明年量产。 在移动与服务器端，LPDDR 因其能效优势成为大规模部署的首选。IT之家注意到，美光近期展示了容量高达 256GB 的 LPCAMM2 模块，并正为英伟达的 Groq 3 LPX 提供 DDR5 内存供应。 尽管企业端需求火爆，但消费电子市场前景不容乐观。美光预计，受供应受限和价格上涨影响，个人电脑（PC）和移动设备的销量将出现低双位数的下滑。不过，美光也强调，对于在本地运行 AI 智能体工作流的 PC 而言，32GB 已成为主流配置选择。 梅赫罗特拉总结道，在 AI 时代，内存已成为客户的战略资产，美光正通过投资全球制造足迹来满足日益增长的需求，并预计第三财季将再次刷新多项业绩纪录。
IT之家 4 月 25 日消息，韩媒 The Elec 昨日（4 月 24 日）发布博文， 报道称三星已成功生产出采用 4F Square 单元结构与 VCT 技术的 10a DRAM 晶圆，并在测试中确认了功能性芯片，计划于 2028 年量产。 这一突破标志着业界首次在 DRAM 生产中引入 4F Square 单元结构与垂直通道晶体管（VCT）工艺。 IT之家注：4F Square 是一种先进的 DRAM 单元结构设计，其中“F”代表光刻工艺的最小特征尺寸。该结构将每个存储单元置于 2F×2F 的面积内，相比传统的 6F Square 设计，能在相同的芯片面积内容纳更多单元，从而显著提升存储密度，是实现 DRAM 高密度微缩的关键技术路径。 而 VCT 全称为 Vertical Channel Transistor，直译为垂直通道晶体管，是一种创新的晶体管结构设计，通过将晶体管的通道方向由水平改为垂直，让电荷存储电容可以直接堆叠在晶体管上方。这种立体结构有效缩短了单元间距，打破了传统平面结构的微缩瓶颈，是实现 4F Square 高密度单元的基础。 图源：三星 10a 工艺被视为 DRAM 进入 10nm 以下节点的首代技术，其实际电路线宽约为 9.5 至 9.7nm。相比当前主流的 6F Square 设计，4F Square 结构将每个单元置于 2F×2F 的面积内，能在相同芯片面积下将单元密度提升约 30% 至 50%。 新技术面临的主要挑战是材料变革。通道材料为降低漏电流并提升数据保持能力，已从硅转变为铟镓锌氧化物（IGZO）。此外，三星原计划用钼（Mo）替代氮化钛（TiN）作为字线材料（指用于制作存储器中字线的导电材料），但因钼具有腐蚀性且固态处理困难，需对气体输送系统进行改造，目前该材料仍在评估中。
IT之家 4 月 24 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。 NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片 实现了 10¹⁴ 循环耐久 ， 读写延迟＜10ns ， 85℃ 下数据保持时间＞1s （IT之家注：这一数据是 JEDEC 为标准 DRAM 给出的 64ms 的 15 倍）。 NEO Semiconductor 同时宣布得到了宏碁创始人施振荣领导的新一笔战略投资。 相关阅读： 《 类 3D NAND 设计，Neo 半导体推出 3D X-DRAM：8 倍密度、230 层 》
IT之家 4 月 23 日消息，SK 海力士 (hynix) 当地时间今日举行了 2026Q1 财报电话会议，会上该企业高管表示海力士的 HBM4E 内存正以 2027 年量产的目标顺利推进开发工作，计划 2026H2 开始供应样品。 SK 海力士在 HBM4E 上将使用基于 1c nm 制程工艺的 DRAM 裸片 ，这一节点已在多款其它产品中得到验证，良率和量产能力达到了成熟阶段；而基础裸片部分正在基于满足客户性能要求的最优技术进行开发。 SK 海力士代表认为谷歌 TurboQuant 等数据压缩技术的设计意图是提升内存应用效率而不是减少内存用量。随着 AI 服务变得更加普及， 内存需求还会进一步增加 ；而 AI 服务的多样化也将推动 存储半导体的进一步分层 。 在闪存端，该企业目标在 2026 年将超过一半的韩国本土产能转换为 V9 NAND，从 176 层 V7 到 321 层 V9 的跨越式进步 将大幅提升 NAND 生产效率 。 SK 海力士未来的产能扩充重心是逐步推进的龙仁半导体集群， 目前没有其它的晶圆厂建设或收购计划 ，但其同时表示将灵活应对全球内存需求的中长期增长。
IT之家 4 月 22 日消息，中国台湾地区半导体企业力晶积成电子制造股份公司（力积电、PSMC）昨日举行 2026 年第 1 季度线上法人说明会。该企业会上表示 已与美光启动 1P 制程 DRAM 内存的联合研发 ，预计 2027Q1 导入设备、2028H1 试产、2028H2 量产。 IT之家了解到，1P 制程的单位晶圆产出是力积电现有工艺的 2.5 倍，可为力积电未来利基型 DRAM 业务的发展打下坚实技术基础。 而力积电受美光委托的 PWF（后端晶圆制造）业务则预计 2026Q3 启动设备导入、2026Q4 试产、2027Q4 量产，目标月产能 2 万片晶圆。 力积电将 3D AI Foundry 视为重要的未来业务增长点，其 高密度电容 IPD（整合式被动元件）2.5D 中介层已通过国际大厂认证 ，即将量产；WoW 四层晶圆堆叠认证进程顺利，有望 2027 年小规模量产。 该企业已在今年 1 月上调了 12 英寸 DDI 与图像传感器代工价格，涨幅在 10% 以上；而在今年 4 月又大幅提升了 NAND 闪存晶圆代工的投片价格。其有望在年内完成 MLC NAND 工艺开发，2027H2 可供客户设计定案.
IT之家 4 月 20 日消息，当地时间 4 月 18 日，据日经亚洲报道，内存芯片短缺预计将持续至 2027 年前后。美国和韩国主要厂商正在扩产 DRAM，但提产速度仅能覆盖约 60% 的市场需求。 中东局势动荡正在推高 电力与原材料成 本，进一步增加行业供给前景的不确定性。 三星电子计划在今年启用韩国平泽园区第四座晶圆厂，但全面量产 预计要到 2027 年或更晚 。同时，该工厂还将生产逻辑芯片，一定程度上限制了其内存产能的扩张空间。 正在建设中的第五座工厂将聚焦高带宽内存（HBM），即用于人工智能芯片的高性能 DRAM，但预计 要到 2028 年或更晚才会投产 。 三星内存业务负责人金在俊（IT之家注：音译，下同）表示，行业整体产能扩张受到限制，今年至 2027 年的供给增长将较为有限。 SK 海力士已于 2 月在清州投产一座 HBM 工厂，这是包括美光的三大厂商中唯一能够在今年带来新增供应的项目。同时，公司正在加快推进龙仁新厂建设， 计划在 2027 年 2 月完工 ，比原计划提前三个月。 SK 集团会长崔泰源指出，受晶圆短缺及短期扩产难度限制，AI 内存紧张 可能持续至 2030 年 。 美光计划在 2027 年于美国爱达荷州和新加坡启动 HBM 生产，并将于 5 月在日本广岛建设新厂，目标在 2028 年实现量产。此外，公司已于 1 月决定收购力积电的一座工厂，该工厂产品预计将在 2027 年下半年推出。 三星、SK 海力士和美光目前 占据全球约 90% 的 DRAM 市场份额 ，也是几乎唯一具备 HBM 生产能力的厂商。 近年来，三家公司 将重心转向 HBM，推迟通用内存扩产 ，导致自 2025 年秋季起供应趋紧。今年第一季度内存价格预计环比上涨约 90%。 Counterpoint Research 测算，若要缓解短缺， 行业需在 2027 年前实现约 12% 的年产能增长，但现有扩产计划仅为约 7.5% 。研究总监黄敏秀表示，供需关系预计要到 2028 年才会恢复正常。 在 AI 需求持续增长的背景下，即便新增产能逐步投产，供需紧张是否能迅速缓解 仍存在不确定性 ，因为先进内存工厂提升良率需要时间。 当前约 80% 至 90% 的内存芯片用于 PC、智能手机和服务器，其余用于汽车及工业设备。IDC 预计，今年 智能手机销量将下降 13% 。 与此同时，内存在低端智能手机中的成本占比已达约 20%，预计到今年年中将接近 40%。利润空间被压缩后，手机厂商可能减少产量，汽车零部件厂商也面临内存供应不足的问题。
服务器DRAM模块的最新一代标准“MRDIMM”据悉已经进入最后开发阶段，联合电子设备工程委员会（JEDEC）的成员包括三星电子、SK海力士和美光等主要存储器公司，正在积极开发MRDIMM产品，以满足未来不断增长的需求。有别于HBM与GPU集成，MRDIMM将用作CPU直接访问的主内存。作为新一代服务器DRAM模块，其专为人工智能和高性能计算（HPC）任务而优化， 能够同时运行两个内存通道，因此可提供更快的数据处理速度。（财联社）
4月23日，SK海力士在财报中表示，存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性，进而推动整体服务规模的扩大，这将进一步拉动存储器需求。基于此，公司预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境。截至2026财年第一季度末，该公司现金及现金等价物环比增加19.4万亿韩元，达到54.3万亿韩元。（界面）
36氪获悉，点众科技以旗下河马剧场联合DramaBox，推出了“双十亿”AIGC全球共创计划。该计划以1.5亿美金与10亿人民币的专项资金，分别扶持海外与国内的AIGC内容创作，并开放8万部优质存量小说IP授权。