IT之家 5 月 6 日消息，北京时间 6 日（今天）傍晚，据彭博社报道，SpaceX 计划 投入 550 亿美元 （IT之家注：现汇率约合 3761.95 亿元人民币），在得克萨斯州启动新半导体生产设施建设，推动马斯克的“大工程”Terafab 晶圆厂项目落地。 格莱姆斯县网站发布的公开通知显示，SpaceX 计划在当地建设一座 下一代、垂直整合的半导体制造和先进计算生产设施 。如果后续阶段全部推进，项目总资本投资预计最高可达 1190 亿美元（现汇率约合 8139.48 亿元人民币）。 马斯克今年 3 月公布 Terafab 概念，目标是为自己的机器人、航天和 AI 项目制造芯片。 马斯克表示，SpaceX 和特斯拉的合资项目十分必要，因为半导体行业发展速度太慢，已经跟不上他的项目以及整个科技行业对芯片的需求。“ 我们要么建设 Terafab，要么就没有芯片 ，而我们需要芯片，所以我们要建设 Terafab。” 随着马斯克继续加码 AI 和机器人领域，这个项目未来将支持 每年 1 太瓦算力 ，也就是其预计两家公司最终需要的算力规模。新设施目标是 生产 2 纳米芯片 ，处在当前芯片技术前沿。 不过，从项目提出之初起，外界就怀疑马斯克是否真会进入先进芯片制造领域。先进芯片工厂建设复杂、竞争激烈，而马斯克此前没有相关经验。按照设想，Terafab 将挑战台积电等行业龙头，而且产能规模将远超当前行业水平。 此后，马斯克的下属很快联系了应用材料、TEL 集团、泛林集团等芯片设备制造商，询问制造半导体所需设备的价格和交付周期。据IT之家了解，马斯克计划以“光速”推进。 格莱姆斯县发布的信息，是为 6 月 3 日公开听证会提前发布的通知。通知称，SpaceX 计划使用格莱姆斯县吉本斯溪水库附近的一处地产。 通知称，SpaceX 芯片设施“将代表对美国本土半导体制造能力的一项变革性投资”。
IT之家 5 月 6 日消息，据台媒《经济日报》今日报道，台积电 (TSMC) 已启动其位于中部科学工业园区的 Fab15A 晶圆厂升级计划。该厂当前的主要工艺为 28/22nm 成熟制程， 初步将升级至 4nm ，以满足 AI / HPC 芯片的持续需求。 Fab15A 现有的成熟制程设备预计将迁移至台积电与欧洲合作伙伴共同建设的 ESMC 德国德累斯顿晶圆厂。ESMC 的主要工艺就包括 28/22nm 平面 CMOS（以及 16/12nm FinFET），计划 2027 年开始初步生产。 从 28/22nm 升级到 4nm 不仅要更换设备也需对无尘室进行调整改造。业内人士预计 Fab15A 工艺升级总共开支将超过 1000 亿新台币 （IT之家注：现汇率约合 216.5 亿元人民币）。 台积电在中部科学工业园区还设有以 7nm 为主的 Fab15B 晶圆厂，而面向尖端制程的 A14 新厂也在建设之中。
IT之家 5 月 5 日消息，特色工艺晶圆代工企业世界先进 (VIS) 高管在公司 2026Q1 财报法人说明会上表示， 已开始 VSMC 晶圆厂产能扩充计划的初步讨论与规划 ，将谨慎评估第二阶段的可能性。 VSMC 为世界先进与 NXP（恩智浦）以 6:4 合股的企业，正在新加坡建设一座 12 英寸晶圆厂。 这一晶圆厂将生产 130~40nm 制程的中介层、混合信号、电源管理、模拟产品 。该厂正准备进行试产，预计今年 6~7 月启动出样，2027Q1 开始量产。 世界先进高管表示，受产品组合与工艺复杂度变化影响，VSMC 第一阶段的 满载月产能将从此前预计的 5.5 万片下调至 4.4 万片 。 而由于客户近期选择将部分自有设备交由 VSMC 使用，该项目第一阶段的 总投资规模也从原定的 78 亿美元降至 67 亿美元 ，世界先进和恩智浦分别出资 24 亿美元和 16 亿美元，剩余 27 亿美元则来自客户的长期产能保证金或使用费、贷款、政府补贴。 世界先进提到，VSMC 首座晶圆厂的 4.4 万片月产能已全部售罄 ，且这些订单均有长期合约支持。仍有许多客户对 VSMC 产能需求殷切并积极关注 VSMC 下一阶段产能的建设时间。 世界先进 2026Q1 合并营收规模约为 123.32 亿新台币（IT之家注：现汇率约合 26.7 亿元人民币），环比小幅下降约 0.5%、同比增长约 4.9%。该企业预计 2026Q2 的产能利用率将由 Q1 的约 80% 提升至 85~90%。
IT之家 5 月 5 日消息，据 ZDNET Korea 当地时间 5 月 3 日报道，三星晶圆代工（Samsung Foundry）旗下的 4 纳米生产线 明年之前的产能已进入“全部订满”状态 。这是次世代内存 HBM4 正式量产与全球大科技公司订单叠加的结果。 半导体行业人士表示：“4 纳米工艺最近在全球客户中表现出了超出预期的稳定性，需求正在爆炸式增长，生产线运转得非常紧张，实际上已无法接受截至明年的追加订单。” 据IT之家此前报道，三星在 4nm 工艺上取得关键进展， 良率已提升至 80% ，标志着该工艺进入成熟生产阶段。 推动订单增长的关键因素是 HBM4。三星电子采用 4nm 工艺生产 HBM4 的基础芯片。随着该公司开始向英伟达和 AMD 等人工智能加速器公司全面供应 HBM4，配套的 4nm 晶圆生产线的利用率实际上已达到极限。 对 4nm 工艺的需求并不局限于存储领域。此前依赖台积电的全球无晶圆厂半导体公司，如今也纷纷转向三星，寻求供应链多元化和成本效益。目前英伟达和谷歌都是三星 4nm 工艺的主要客户。 三星晶圆代工的一位合作伙伴相关人士称：“得益于 4 纳米工艺的稳定和 HBM4 强大的需求支撑， 预计三星晶圆代工最早将于今年下半年，最迟于明年上半年实现扭亏为盈 。在经历长时间的低迷期后，迎来了明确的反弹时期。”
IT之家 5 月 4 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间 3 日报道称，三星电子晶圆代工业务 近期就 8 英寸碳化硅 (SiC) 生产线建设的重启与材料、组件、设备合作伙伴展开磋商 ，有消息传出相关讨论已深入到设备导入规模。 三星晶圆代工将化合物半导体视为未来增长点之一；同时，将现有 8 英寸硅 (Si) 晶圆厂改造为碳化硅 (SiC) / 氮化镓 (GaN) 晶圆厂在节省前期建设成本的同时也可提升产能利用率。 三星电子设备解决方案 (DS) 部在 SiC 领域的布局始于 2023 年。不过由于整体市场一度低迷、主抓存储器业务等原因，其商业化一度停滞。但在 AI 产业激活功率半导体市场后，三星电子恢复了 SiC 项目的推进。 消息人士预计， 三星晶圆代工有望在 2027 年建成一条 SiC 原型生产试点线，并于 2028 年实现量产 。 相关阅读： 《 氮化镓 (GaN) 领域台积电退三星电子进：后者 8 英寸产线最早 2026Q2 投产 》
IT之家 5 月 4 日消息，据中国台湾地区媒体“联合新闻网”今天报道，目前有传闻称台积电将重返龙潭，建设次世代埃米级晶圆厂， 投资额达 6000 亿新台币（IT之家注：现汇率约合 1299 亿元人民币） 。 据报道，若消息属实，无尘室机电厂商汉唐（UIS）、半导体厂商帆宣（MIC）将从本次扩建中受惠。前者已与台积电合作多年，除了深入参与 2nm 厂房建设外，还投入 CoWoS 先进封装厂建造。 同时，业界普遍看好台积电重启龙潭晶圆厂建设，埃米级制程更加精密，可推动无尘室相关建设需求，助力汉唐基本面持续升温。
IT之家 4 月 30 日消息，SEMI（国际半导体产业协会）旗下硅制造商组织 (SMG) 主席矢田银次表示：“AI 数据中心相关的硅晶圆需求持续维持强劲，范畴包括先进逻辑与内存应用， 并且已延伸至电源管理组件 。” IT之家注意到，电源 / 功率半导体领域的 需求旺盛已反映在多家供应商的价格调整上 ，MLCC 等被动元器件、PCB 与相关基材也正从这波 AI 浪潮中获益。 矢田银次同时也是硅晶圆制造巨头 SUMCO（盛高）的业务与营销事业部执行副总经理，其补充到： 尽管硅晶圆需求已出现改善，但复苏态势并不均衡。许多组件公司观察到 工业半导体领域需求回温 ，随着晶圆库存去化，带动了更广泛的市场复苏。然而，今年第一季智能手机与 PC 出货表现较弱，可能反映出部分产能转向优先支持 AI HBM，使一般内存供应相对吃紧，进而影响智能手机与 PC 出货表现。 ▲ 图源：SEMI SEMI SMG 在当地时间 29 日公布的硅晶圆产业单季分析报告中指出，2026Q1 全球硅晶圆出货面积达 3275 百万平方英寸 （IT之家注：大致相当于 2896 万片 12 英寸晶圆） ， 同比增幅为 13.1% 、 环比则因季节性因素下滑 4.7% 。 参考 SEMI Reports Worldwide Silicon Wafer Shipments Increase 13% Year-on-Year in Q1 2026
IT之家 4 月 30 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（4 月 29 日）发布博文，报道称英特尔通过优化晶圆边缘良率分布， 成功提升单晶圆营收，进一步提高了利润空间。 IT之家曾于 4 月 24 日报道，英特尔公布 2026 年第 1 季度财报，营收为 136 亿美元（IT之家注：现汇率约合 930.08 亿元人民币），同比增长 7%，连续第六个季度超出预期。而得益于提升产量、改善良率以及市场需求旺盛，其客户端与数据中心处理器销量显著增长。 英特尔代工负责人 Naga Chandrasekaran，图源：英特尔 TechInsights 副主席 Dan Hutcheson 表示，虽然分级（binning）和统计过程控制（SPC）已是英特尔约 40 年的标准实践，但自 2024 年底英特尔代工负责人 Naga Chandrasekaran 加入后， 公司重点转向减少晶圆边缘相关差异，从而收紧晶圆整体的良率分布。 Hutcheson 解释称，在制造领域，实现此类显著变革通常需要一两年时间。英特尔自 20 世纪 80 年代以来一直采用批次分级策略， 晶圆从中心到边缘的良率分布始终存在差异。 Naga Chandrasekaran 的良率管理工作成功缩小了晶圆边缘的良率分布范围， 让公司能够以极低成本获取更多单晶圆营收。 这一改进的核心优势在于其独立于具体工艺节点，具有广泛的适用性。通过减少边缘变异性，英特尔将原本可能被废弃的边缘芯片转化为可销售产品，直接贡献于营收增长。
IT之家 4 月 28 日消息，据韩媒 The Elec 今天报道，ASML 可能正在研发晶圆对晶圆（Wafer to Wafer，W2W）混合键合设备。 据报道，仁荷大学制造创新研究生院教授 Joo Seung-hwan 在首尔的先进封装技术会议表示， 从 ASML 申请的专利来看 ， 公司似乎正在将其核心光刻平台 Twinscan 应用于 W2W 混合键合设备 。 作为参考， Twinscan 是 ASML 的旗舰光刻平台 ，首次出货于 2001 年。其拥有两个晶圆台模块，第一个晶圆台可进行曝光，通过光刻形成电路图案；第二个晶圆台则可以同时装载、对准并准备下一块晶圆，大幅度缩短晶圆制造时间。 而 W2W 混合键合则是一种先进封装技术，可直接键合（IT之家注：指通过物理或化学作用将两个及以上材料表面紧密连接为一体的工艺技术）两片半导体晶圆。进而缩短互连长度，降低功耗和热量，同时提升数据传输速度。 该教授在会议中强调，韩国厂商需要为 W2W 混合键合技术做好准备。近期受西门子、韩华精密机械和韩美半导体等公司主要集中在晶粒对晶圆（D2W）键合机。 他指出，D2W 仅占整体混合键合市场的一小部分，韩国厂商应积极探索进入更大、更具战略意义的 W2W 市场。
IT之家 4 月 28 日消息，台积电 (TSMC) 在上周举行的 2026 年北美技术论坛上表示，该企业今年有五座 2nm 级 N2 制程工艺晶圆厂在同时产能爬坡，即新竹 Fab20 的 1~2 阶段和高雄 Fab22 的 1~3 阶段。 台积电预计 N2 节点首年晶圆产能将较 N3 首年提升 45%， N2 / A16 系列工艺在 2026~2028 年的产能年化增长率将达 70% 。 与此同时，台积电也在持续积极扩充更为主流的 N3/N5 节点产能，从 2022 到 2027 年的合计产能 CAGR（IT之家注：复合年化增长率）达到 25%；此外，台积电的 CoWoS 产能在 2022~2027 年期间的 CAGR 超 80%，SoIC 更是超 90%。 ▲ 图源：台积电 在全球产能布局方面，台积电在美的 TSMC Arizona (Fab21) 第二晶圆厂计划 2026H2 搬入设备，第一晶圆厂今年晶圆产出将达 2025 年的 1.8 倍；而在日 JASM (Fab23) 第一晶圆厂的晶圆产出将是去年的 2.3 倍。 台积电今年将进行 5 座晶圆厂和 4 座先进封装厂的产能扩张 ，合计数量持平去年，是 2017~2023 年水平的 2 倍以上。
IT之家 4 月 24 日消息，据《首尔经济日报》今日报道，约 4 万名三星电子工会成员参加了昨日举行的“总集会”。据三星电子工会“联合斗争本部”披露，集会期间，公司半导体产量单日下降逾 18%。 三星电子工会希望以此向管理层施压，警告若公司不接受将营业利润的 15% 分配为绩效奖金的提案，工会将在下月通过为期 18 天的总罢工对生产造成重大打击。 详细来看，存储芯片工厂夜班产量下降 18.4%，华城园区存储产线中，第 15 号线下降 33.1%，第 16 号线下降 11.3%，第 17 号线下降 13.1%；平泽园区中，P1D 下降 23.1%，P1F 下降 10.0%，P2D 下降 24.6%，P2F 下降 3.2%，P3D 下降 11.0%。 另外，晶圆代工厂的产量下滑幅度更为显著，整体下降 58.1%，其中器兴 S1 线下降 74.3%，华城 S3 线下降 67.8%，平泽 S5 线下降 42.7%。代工产线因自动化程度低于存储产线、更依赖人力操作，生产损失大于存储设施。 工会此前曾预计，总罢工期间公司生产损失可能超过 30 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 1386.6 亿元人民币）。若管理层不接受相关要求，工会计划于 5 月 21 日至 6 月 7 日发起为期 18 天的总罢工，并表示即使负责防止化学品泄漏的“安全防护设施”操作人员也将被动员，以对生产造成最大程度影响。 三星电子工会要求将公司今年营业利润的 15% 作为绩效奖金发放给员工，并取消奖金上限。 三星电子本年度营业利润预期约为 300 万亿韩元（现汇率约合 1.39 万亿元人民币），按工会诉求计算，需发放约 45 万亿韩元（现汇率约合 2079.9 亿元人民币）的绩效奖金。 三星电子工会代表称，目前奖金上限设定为年薪的 50%，管理层拒绝取消这一上限，而另一家韩国大厂 SK 海力士已同意取消奖金上限。 相对于工会方面，三星电子管理层方面则提出将营业利润的 10% 用于绩效奖金，并额外拨出资金确保存储部门员工今年奖金高于竞争对手。 公开资料显示，三星电子工会成员人数目前超 9 万人，占三星韩国员工总数的 70% 以上。工会全国三星电子分会负责人崔胜浩于 24 日向首尔龙山警察署申报，计划于下月 21 日下午 1 时在三星电子会长李在镕位于首尔汉南洞的宅邸前举行集会。
IT之家 4 月 20 日消息，三星晶圆代工设计解决方案合作伙伴 GAONCHIPS 上周宣布其完成了 1ASIC + 4HBM 异构集成的技术验证，为首款 2.5D 先进封装产品的今年夏季量产打下了基础。 IT之家了解到， GAONCHIPS 测试芯片采用了三星电子的 I-Cube S 技术 。这一方案类似台积电的 CoWoS，应用了硅中介层 (Si Interposer) 结构。GAONCHIPS 与三星电子一道实现了 I-Cube S 的初始设计定义、封装实现、电气验证。 ▲ I-Cube S 示意图 相较于台积电的 CoWoS 和英特尔的 EMIB，三星晶圆代工的 2.5D 集成技术在市场上的热度相对较低。更多的生态参与者有望提升 I-Cube 的吸引力，在 CoWoS 产能紧缺的当下打造一个切实可行的替代选项。
IT之家 4 月 19 日消息，据路透社前天报道，韩国 SK 集团会长崔泰源本周出席英伟达 GTC 大会时表示，由于 AI 需求始终供不应求， 全球芯片晶圆短缺问题可能持续至 2030 年 。 ▲ 图源：SK 集团 崔泰源指出，SK 海力士正考虑在美国通过 ADR（IT之家注：美国预托证券）上市，扩大投资者基础。同时公司可能会公布稳定 DRAM 芯片价格的计划，集团也在探索替代能源。 目前，SK 海力士在 HBM（高带宽内存）市场占据 57% 份额，并在全球 DRAM 市场拥有 32% 份额，位列第二。 崔泰源对此表示：“AI 对 HBM 的需求非常大，一旦开始生产 HBM 就需要消耗大量晶圆。我们至少 4 到 5 年扩大产能，目前的短缺情况可能持续到 2030 年， 预计晶圆仍将存在超过 20% 的供给缺口 ”。 不过 SK 海力士目前正在制定 DRAM 价格稳定策略，但目前还无法公布细节。 当被问及是否在美国扩大芯片产能时，崔泰源表示，建设海外工厂需要充足电力、水资源、建设条件和工程人才，因此无法快速推进。 公司目前仍重点计划在韩国本土生产 。
IT之家 4 月 17 日消息，据中国台湾地区媒体《电子时报》今天报道，台积电最近召开 2026 年第一季度财报法人说明会，介绍 1nm 及以下先进制程工艺规划情况。 据报道，台积电正在台南科学园区规划 A10 晶圆厂，其中 P1-P4 用于开发 1nm 及以下先进制程， 2029 年起试产 ，初期月产能预计可达 5000 片晶圆。 同时，台积电将在新竹宝山 P1-P2 工厂发展 2nm 制程，P3 工厂则以 2nm、A14 为主，预计今年年中完工。目前公司的“One Team”团队将逐步进驻，P4 厂仍在规划中。 美国亚利桑那 F21 晶圆厂方面，P1 工厂将应用 4nm 制程，月产能约 2-2.5 万片晶圆。P2 厂则是 3nm，第三季度引入设备；P3-P5 工厂分别规划 2nm、A16（1.6 纳米）、A14（IT之家注：1.4 纳米）工艺，近期已经动工。
IT之家 4 月 17 日消息，根据三星半导体官网公示，SAFE Forum（IT之家注：三星先进晶圆代工生态系统论坛）2026 美国场 将于当地时间 5 月 28 日在圣何塞的三星半导体美国园区举行 。该论坛后续还将在韩国首尔举行。 在去年的两场 SAFE 论坛上，三星晶圆代工宣布 SF1.4 工艺延期至 2029 年、引入 SF2P+ 衍生制程。今年的 SAFE 论坛有望展示三星在先进制程与异构集成方面的实力，向市场传递代工业务逐步复苏的信号。
IT之家 4 月 17 日消息，台积电 (TSMC) 昨日举行了 2026Q1 财务报告法人说明会，董事长兼总裁魏哲家会上表示台积电在 3nm 制程工艺上打破了历史惯例， 在达到预设目标后仍积极投资新产能 ，以满足客户的需求。 台积电正在台南南科园区新增 1 座 3nm 晶圆厂，预计 2027H1 量产；美国 TSMC Arizona Fab 2 预计 2027H2 量产；日本 JASM Fab 2 则将在 2028 年量产。台积电还持续将台南的既有 5nm 产线升级至 3nm，并通过运营效率的提升从所有 3nm 产线中“榨取”更多产能。 魏哲家同时强调， 虽然产能紧张 ， 但台积电不会对客户厚此薄彼 。
IT之家 4 月 17 日消息，代表性的成熟制程企业联华电子（联电，UMC）宣布将 于今年下半年调整晶圆代工服务价格 。 作为纯成熟制程龙头，联电表示其看到通信、工业、消费电子、人工智能等广泛领域的需求持续强劲。这一势头推动联电全产品线产能持续紧张，且供不应求的局面日益加剧。为满足这一需求，联电持续提升制造效率，加大技术与产能投入。 额外的投资和原材料、能源、物流等领域成本的上升推动联电做出此次代工价格调整 ，具体涨幅将根据联电的产品组合策略、产能协议、长期合作伙伴关系等因素制定。
IT之家 4 月 16 日消息，《韩国经济日报》今日报道称， 三星电子计划在当地时间 4 月 24 日在美国得克萨斯州泰勒市的晶圆厂举行重大设备交付仪式 ，包括晶圆代工业务总裁兼总经理韩真晚在内的三星高管和供应链合作伙伴代表都将出席此次活动。 三星泰勒晶圆厂建设始于 2022 年 11 月，在经历过一段时间的停工后于 2025 年复工，现阶段完全聚焦 2nm 制程工艺， 预计将于 2026H2 全面投产 。 IT之家注意到，泰勒厂正式生产的首批产品将是特斯拉的 AI5 芯片，紧接着还有 AI6 的订单需要处理，而 在特斯拉芯片上的表现将成为三星晶圆代工未来前途命运的风向标 。
IT之家 4 月 16 日消息，Tesla 特斯拉 CEO 埃隆 · 马斯克在昨日宣布 AI5 芯片流片后对特斯拉自研芯片计划进行了展望。 马斯克表示，一颗 AI5 芯片的有效算力是双芯 AI4 解决方案的 5 倍。后续的 AI6 芯片由三星电子晶圆代工业务在美国得州泰勒市晶圆厂以 2nm 工艺制造 ，配备 LPDDR6 内存，以类似的面积 (400+mm²) 实现性能翻倍。 AI6.5 芯片则将由台积电在美子公司 TSMC Arizona 以 2nm 制造 ，进一步提升性能。 芯片设计方面，AI6 和 AI6.5 均将有约一半的 TRIP AI 计算加速器与 SRAM 紧密结合，显著提升有效带宽。 ▲ AI5 IT之家注意到，AI5 芯片两侧封装的内存颗粒长宽差距明显，不符合 GDDR 系列芯片特征，很可能是 LPDDR5X；AI6 升级到 LPDDR6 也是理所应当。
IT之家 4 月 16 日消息，北京时间今天上午，据彭博社报道，马斯克正推动一项名为 Terafab 的芯片制造计划，其团队已接触应用材料、东京 TEL 公司和泛林集团等关键设备供应商，试图切入先进半导体制造领域。 知情人士表示，特斯拉与 SpaceX 联合项目团队近期已向多类设备厂商询价，其中涵盖了 光掩模、基板、刻蚀、沉积、清洗和测试设备 ，并开始了解交付周期。同时，团队还向三星寻求支持，但三星提出的方案，是在其位于得克萨斯州泰勒的工厂为特斯拉提供更多产能。 这一系列动作表明，尽管半导体行业普遍持怀疑态度，马斯克仍在推进 Terafab。该项目目标是重塑芯片制造格局，使其进入目前由台积电主导的领域。英特尔也已表示将参与该计划，CEO 陈立武此前发布了马斯克访问公司圣克拉拉办公室的照片。 在执行方式上，马斯克团队要求供应商快速报价，不过提供的信息极为有限。有知情人士表示，团队曾在假期周五要求供应商于下周一提交报价，并强调 项目推进需要达到“光速” 。 Terafab 设想的规模极为庞大，目标是实现每年 1 太瓦计算能力。项目计划从奥斯汀的一条试验产线起步，利用特斯拉现有工厂及基础设施，未来规模可能远超当前全球芯片产能。 该项目拟生产的芯片将用于 支持 xAI、人形机器人以及太空数据中心等业务 ，这些方向在半导体行业中并未被普遍看好。项目最终规模、是否扩展至得克萨斯州以外，甚至是集中于单一超大工厂还是分布式布局，目前仍不明确。 知情人士表示，Terafab 愿意在报价基础上支付溢价，以换取优先供货，但目前尚未下达正式订单，因为技术路线及生产地点仍未确定。初期计划建设一条 月产 3000 片晶圆的产线 ，目标在 2029 年开始硅片制造并逐步扩大规模。 伯恩斯坦分析师估算，该项目资本支出可能高达 5 万亿至 13 万亿美元（IT之家注：现汇率约合 34.16 万亿至 88.82 万亿元人民币）。