IT之家 5 月 5 日消息，据《The Elec》昨日（5 月 4 日）报道，三大内存制造商 —— 三星、SK 海力士和美光正在加速 DDR6 内存的开发 。这项新技术预计将进一步提升 DDR5 标准的性能，并在各个方面提供改进。 报道称，尽管 JEDEC 标准尚未最终确定，但这些内存制造商已经要求基板供应商准备设计，目标是准备测试样品，以便在 DDR6 接近大规模生产之前做好准备。 一位来自基板行业的人士表示：“内存公司和基板制造商通常在产品推出前两年以上进行联合开发。DDR6 的初步开发最近才刚刚开始。” 报道提到，DDR6 预计将比 DDR5 带来大幅速度提升。早前的 JEDEC 路线图信息显示， DDR6 速度最高可达 17.6 Gbps，大约是 DDR5 计划上限的两倍 。商用 DDR6 内存目前预计将在 2028 年至 2029 年左右推出。 IT之家注意到， JEDEC 已在去年发布了 LPDDR6 标准 ，计划为 LPDDR6 提供位宽减半的 x6 子通道模式，允许在单一封装中集成更多内存裸片，LPDDR6 也有望实现 512GB 系统内存容量。
IT之家 4 月 30 日消息，三星电子今日发布了 2026 财年第一财季财报，公司存储业务负责人 Kim Jaejune 警示，各类存储芯片的严重短缺局面至少将持续至 2027 年。据《南华早报》报道，由于各大客户争相锁定未来供货，当前产品履约率已跌至历史低位。这一预警与仅一周前竞争对手 SK 海力士在财报电话会议上的表态高度一致。 三星、SK 海力士与美国美光科技三家企业合计掌控全球超 90% 的 DRAM 内存市场。全球三大存储芯片供应商中，有两家同时预警长达数年的供货短缺，市场产生担忧实属情理之中。 此次芯片短缺主要由人工智能基础设施建设需求拉动。现代人工智能系统需要海量高速内存，持续为图形处理器与加速芯片输送数据。需求激增的核心焦点是高带宽内存（HBM），这是一种垂直堆叠架构的 DRAM 产品，可在贴近处理器的物理布局下实现超高数据带宽。 高带宽内存已成为 AI 加速芯片的核心配套器件。但该产品制造难度大、成本高昂，需要先进的晶圆堆叠、精密键合以及高端封装工艺。这也导致其产能受限，市场需求增速远超厂商的产能扩建速度。 尽管短缺主要由高带宽内存需求引发，但其影响正开始蔓延至整个存储市场。由于高带宽内存本身属于 DRAM 品类，各大厂商正持续将产能、研发人力及资金转向利润更高的 AI 专用存储产品。产业资源倾斜，或将进一步收紧服务器、个人电脑、移动设备所用普通 DRAM 的供给。同时，AI 数据中心在算力硬件之外还需大规模存储基建，企业级固态硬盘的市场需求也随之攀升。 业内一边面临存储短缺，一边又在积极研发替代方案，因为现有存储架构的功耗居高不下。此前已有报道，行业正着力开发 3D X-DRAM、ZAM 等下一代存储技术，旨在降低功耗、突破制程扩容瓶颈。 即便行业对新一代替代技术投入巨额资金，现有主流存储技术的市场需求依旧居高不下。 据消息称，三星透露已有部分客户提前锁定了 2027 年的全部供货配额。今年早些时候，SK 集团会长崔泰源表示，AI 带动的存储芯片需求紧张态势，甚至可能延续至 2030 年。 对存储大厂自身而言，供货短缺未必是坏事。 2026 年第一季度，三星半导体部门营业利润达 53.7 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 2493.29 亿元人民币），受益于 AI 存储芯片销量暴涨，该业务利润占三星当季总利润约 94%。与此同时，SK 海力士也创下季度营收新高，达 52.6 万亿韩元（现汇率约合 2442.22 亿元人民币），营业利润 37.6 万亿韩元（现汇率约合 1745.77 亿元人民币），业绩增长主要由 AI 基础设施所需的高带宽内存热销驱动。 供需紧张也存在行业周期性因素。存储行业历来在产能过剩和供货短缺之间交替循环。但越来越多分析师认为，本轮周期与众不同 —— 人工智能基础设施的扩张，正以前所未有的速度消耗硬件资源。 为应对短缺危机，各大厂商正大举扩充产能，加码先进封装与存储芯片晶圆制造领域的投资。据《韩国时报》披露，监管备案文件显示，三星电子 2025 年向西安存储芯片工厂投资 4654 亿韩元（现汇率约合 21.61 亿元人民币），同比增幅达 67.5%；SK 海力士也大幅加大投入，向无锡厂区投资 5811 亿韩元（现汇率约合 26.98 亿元人民币）、向大连厂区投资 4406 亿韩元（现汇率约合 20.46 亿元人民币）。 但半导体晶圆厂与高端存储封装厂房的扩建、产能爬坡均需数年时间，这意味着产能增速难以追上人工智能催生的需求增长速度。 存储芯片紧缺，已是人工智能产业爆发催生的又一大资源短缺问题。 目前行业部分领域的图形处理器短缺已十分严峻。本月早些时候已有报道，英特尔证实市场需求极度火爆，客户甚至开始抢购以往会被废弃或视作低端次品的芯片。 电力供给正成为另一大核心瓶颈。AI 数据中心耗电量惊人，倒逼科技企业寻求各类非常规能源解决方案。本月，Meta 已入局支持太空太阳能电站相关规划，该方案理论上可将太空太阳能传输回地球，为未来 AI 基础设施的用电需求提供支撑。
IT之家 4 月 23 日消息，SK 海力士 (hynix) 当地时间今日举行了 2026Q1 财报电话会议，会上该企业高管表示海力士的 HBM4E 内存正以 2027 年量产的目标顺利推进开发工作，计划 2026H2 开始供应样品。 SK 海力士在 HBM4E 上将使用基于 1c nm 制程工艺的 DRAM 裸片 ，这一节点已在多款其它产品中得到验证，良率和量产能力达到了成熟阶段；而基础裸片部分正在基于满足客户性能要求的最优技术进行开发。 SK 海力士代表认为谷歌 TurboQuant 等数据压缩技术的设计意图是提升内存应用效率而不是减少内存用量。随着 AI 服务变得更加普及， 内存需求还会进一步增加 ；而 AI 服务的多样化也将推动 存储半导体的进一步分层 。 在闪存端，该企业目标在 2026 年将超过一半的韩国本土产能转换为 V9 NAND，从 176 层 V7 到 321 层 V9 的跨越式进步 将大幅提升 NAND 生产效率 。 SK 海力士未来的产能扩充重心是逐步推进的龙仁半导体集群， 目前没有其它的晶圆厂建设或收购计划 ，但其同时表示将灵活应对全球内存需求的中长期增长。
IT之家 4 月 23 日消息，据路透社报道，三星电子数万名员工今日在平泽大型工厂园区集会，集中表达对薪酬待遇的不满。如果资方仍不回应诉求，员工计划自 5 月 21 日起 发动一场持续 18 天的罢工 ，预计会冲击 AI 芯片生产。 工会方面称，到场人数达到 40000 人。这不仅是三星 迄今规模最大的一次工人示威 ，也再次凸显以“长期以打压工会”著称的三星劳资矛盾正在迅速升级。三星员工直到 2024 年才首次走上罢工这一步。 工人最强烈的不满，集中在 奖金与 SK 海力士之间的巨大落差 。自 2022 年底 ChatGPT 带动 AI 热潮以来，SK 海力士在向英伟达等客户供应 AI 芯片所需的高带宽存储器上抢先一步，也让 SK 海力士在行业景气上行中占了先机。 AI 热潮同样推高了三星利润，甚至把三星业绩带上了历史高位。 在三星芯片部门装配线负责物流工作的 39 岁员工宋永基（音译，下同）说，现实中已经有不少员工跳槽去了 SK 海力士。“说到底， 超过 90% 的员工工作都是为了薪酬 ，而现在的收入差距已经拉得太大，才会出现这种流动。” 其他三星员工也提到，身边确实有 越来越多同事转投 SK 海力士 。 三星电子工会算了一笔账。一名基本工资为 7600 万韩元（IT之家注：现汇率约合 35.1 万元人民币）的芯片部门员工，2025 年预计 只能拿到 3800 万韩元 （现汇率约合 17.5 万元人民币） 奖金 ，还不到一名收入水平相近的 SK 海力士员工可拿奖金的三分之一。 面对工会施压，三星回应称， 公司会继续努力，争取尽快在薪资谈判中达成协议 。 一名不愿具名的三星人士此前提到，哪怕只是一次罢工导致停产，都可能伤害客户信任，而这种损失往往需要多年才能修复。 去年 9 月，SK 海力士接受了工会提出的薪酬改革方案和高额奖金要求，进一步放大了三星员工对薪酬差距的愤怒，也带动三星工会成员人数快速攀升。 目前，三星工会成员已经超过 90000 人，占三星韩国员工总数的 70% 以上。 双方争执最激烈的问题之一，是工会要求 取消奖金上限 。目前三星把奖金上限设在年基本工资的 50%，管理层拒绝松口。三星工会官员则强调， SK 海力士已经同意取消这道上限 。 除此之外，工会还要求把全年营业利润的 15% 拿出来发奖金，并将基本工资上调 7%。管理层给出的方案则是，把营业利润的 10% 用于绩效奖金，同时额外拨出资金，确保存储器部门员工今年拿到的奖金高于竞争对手。
IT之家 4 月 23 日消息，SK 海力士今天（4 月 23 日）发布 2026 财年第 1 财季（截至 2026 年 3 月 31 日）财报，营业收入为 52.5763 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 2441.12 亿元人民币）， 同比增长 198%、环比增长 60% ；营业利润为 37.6103 万亿韩元， 同比增长 405%、环比增长 96% 。 从季度业绩来看，销售额首次突破 50 万亿韩元大关，营业利润为 37.6 万亿韩元，营业利润率达到 72%，创下公司成立以来的最高纪录，营业利润环比激增约两倍。 2026 财年 第一季度 2025 财年 第四季度 环比 (QoQ) 2025 财年 第一季度 同比 (YoY) 营收 525,763 328,267 60% 176,391 198% 营业利润 376,103 191,696 96% 74,405 405% 营业利润率 72% 58% 14%P 42% 30% 净利润 403,459 152,460 165% 81,082 398% 在 HBM 方面，公司将进一步加强整合性能、良率、质量及供应稳定性的综合执行能力。并且在 DRAM 方面，公司将全面启动全球首款采用第六代 10 纳米级（1c）工艺的 LPDDR6 DRAM，以及基于同一工艺并于本月开始量产的 192GB SOCAMM2 的供应。 在 NAND 闪存方面，公司开始供应基于 CTF 且采用 321 层 QLC 技术的客户端固态硬盘（cSSD）“PQC21”，同时为灵活应对人工智能领域的整体需求，将在 eSSD 全领域构建涵盖高性能 TLC 和大容量 QLC 的产品阵容。 对此，公司表示将以韩国清州 M15X 产能爬坡和龙仁集群为核心，推进基础设施建设及 EUV 等核心设备引进，为此今年的投资规模将同比大幅增加。SK 海力士表示：“公司将战略性地扩充生产基础，以先发应对中长期需求增长。也将通过基于需求可见性的投资，同时确保供应稳定性和财务稳健性。”
IT之家 4 月 22 日消息，SK 海力士当地时间今日在韩国忠清北道清州市举行了先进封装设施 P&T7 的奠基仪式，这座总投资 19 万亿韩元 （IT之家注：现汇率约合 882.17 亿元人民币） 、占地面积 23 万平方米的大型后端工厂 将专注于制造 HBM 等 AI 存储器产品 。 P&T7 总洁净室面积约为 15 万平方米 ，其中三层共 6 万平方米为 WLP（晶圆级封装）生产线，目标 2027 年 10 月完工；七层共 9 万平方米为 WT（晶圆测试）生产线，预计 2028 年 2 月完工。 这座大型设施在建设施工阶段平均每天有 320 名工人，高峰时段将有多达 9000 名工人被派驻现场；完工后，P&T7 仍将驻扎约 3000 名工作人员。
IT之家 4 月 22 日消息，集邦咨询 Trendforce 今天（4 月 22 日）发布博文，报道称 SK 海力士在美国印第安纳州开始动工建设首座半导体先进封装工厂， 投资约 38.7 亿美元（IT之家注：现汇率约合 264.57 亿元人民币），计划 2028 年下半年投产，主要生产第七代和第八代 HBM（HBM4E 和 HBM5）。 消息称该工厂主要满足 AI 算力对高带宽内存的激增需求，以生产第七代 HBM4E 和第八代 HBM5 为主。SK 海力士已于 4 月 17 日通知当地社区启动地基打桩作业，预计持续数月，2026 年下半年进入主体建筑施工阶段。 除美国扩张外，SK 海力士同步加码韩国本土产能。公司计划投资约 19 万亿韩元在清州建设下一代先进封装工厂（P&T7），预计 2027 年底完工。DRAM 产能扩张也在加速推进，清州 M15X 工厂将于 3 月四期洁净室启用后安装设备，龙仁半导体集群首座工厂洁净室计划 2027 年 2 月完工。
IT之家 4 月 21 日消息，据 Korea JoongAng Daily 报道，人工智能芯片超级周期为韩国两大存储芯片制造商带来了巨额利润，SK 海力士员工今年人均奖金或将达到约 7 亿韩元（IT之家注：现汇率约合 325.9 万元人民币），明年更是有望接近 13 亿韩元（现汇率约合 605.1 万元人民币）。与此同时，三星电子工会拒绝了管理层的薪酬方案，威胁将于 5 月 21 日至 6 月 7 日举行总罢工。 SK 海力士已于去年 9 月取消原有的奖金上限，承诺将年度营业利润的 10% 直接作为绩效奖金发放给员工。分析师预计，该公司 2026 年营业利润约为 250 万亿韩元（现汇率约合 1.16 万亿元人民币），据此计算，25 万亿韩元的奖金池将由约 3.5 万名员工分享。据悉，公司今年 2 月已向员工发放人均约 1.4 亿韩元（现汇率约合 65.2 万元人民币）的利润分红。 三星的情况则没有这么乐观，围绕利润分配比例的争议持续发酵。工会要求将营业利润的 15% 用于员工分红，市场分析师预计三星今年营业利润约为 298 万亿韩元（现汇率约合 1.39 万亿元人民币）。若按此比例，仅半导体部门 7.7 万名员工，人均即可获得约 5.8 亿韩元（现汇率约合 270 万元人民币）奖金。 三星管理层提出效仿 SK 海力士，拿出 10% 的利润作为分红，但该方案遭工会拒绝。工会计划于 4 月 23 日在三星平泽芯片工厂举行大规模集会。三星电子已于上周四向法院申请禁令，要求阻止罢工期间所谓的“非法活动”。据 Korea Herald 消息，三星工会主席崔承浩表示，过去四个月已有约 200 名员工跳槽至 SK 海力士。 如此高额的奖金发放规模，与近年境况形成巨大反差。2023 年存储芯片市场低迷，三星芯片部门全年营业亏损，2024 年未发放任何绩效奖金；同期 SK 海力士的奖金比例也大幅缩水。此次行业回暖，几乎完全得益于高带宽内存（HBM）及其他人工智能专用存储产品需求的暴涨。 SK 海力士与三星员工的巨额潜在奖金在韩国引发了罕见的公众反对声浪。匿名职场论坛 Blind 上有网友发帖称，受益于国家基础设施投入及《K-芯片法案》20% 税收抵免政策的企业，应更广泛地分享利润。据估算，两家公司过去两年累计获得的税收优惠总额约 20 万亿韩元（现汇率约合 931 亿元人民币）。 展望未来，员工奖金有望进一步攀升。投资银行麦格理预测，SK 海力士明年营业利润将达到 447 万亿韩元（现汇率约合 2.08 万亿元人民币）。按照现行 10% 的利润分红协议，员工人均奖金将突破 10 亿韩元（现汇率约合 465.5 万元人民币）。
IT之家 4 月 20 日消息，SK 海力士 20 日（今天）宣布，公司正式量产基于第六代 10 纳米级（1c）LPDDR5X 低功耗 DRAM 的 192GB 容量 SOCAMM2 产品 。 IT之家从官方获悉，SOCAMM2 是一款将主要适用于智能手机等移动端设备的低功耗内存，针对服务器环境进行优化的内存模块，主要面向 下一代 AI 服务器 等应用场景，具备 厚度薄与可扩展性 等特性，特别适用于 AI 服务器。该产品采用压缩式连接器，可提升信号完整性且易于更换。 SK 海力士表示，公司采用 1c 工艺的 SOCAMM2，是专为高性能 AI 运算优化的解决方案。与传统的 RDIMM 相比，其带宽提升逾两倍， 功耗降低 75% 以上 。 寄存双列直插式内存模块（RDIMM），则是在存储器模块的内存控制器与 DRAM 芯片之间增加可中继地址、命令信号的寄存器（Register）或时钟缓冲器（Buffer），适用于服务器和工作站的 DRAM 模块。 该公司强调，该 SOCAMM2 产品是面向 英伟达的 Vera Rubin 平台 设计的。此外，该产品可从根本上缓解数千亿参数级 AI 大模型 在训练与推理过程中所面临的存储瓶颈 问题，SK 海力士期待其助力能够大幅提升整体系统的处理速度。 SK 海力士方面还表示：随着 AI 发展从训练转向推理阶段，支持大语言模型低功耗运行的 SOCAMM2 作为下一代存储器解决方案，正备受瞩目。为满足全球云服务供应商（Cloud Service Provider）客户需求，公司提前搭建起稳定的量产体系。
36氪获悉，SK海力士股价涨幅扩大至12%。
据报道，知情人士称，SK海力士计划最早于7月在美国上市，可能募资超过100亿美元。（界面）
英伟达高管将与三星、SK海力士高管会面，洽谈实体人工智能合作事宜。（新浪财经）
受益于人工智能存储芯片需求激增，SK海力士一季度净利润达40.346 万亿韩元，同比大涨398%，创下历史纪录。作为英伟达的核心供应商，SK海力士季度净利润飙升近五倍，主要由高端存储芯片需求暴涨驱动。（新浪财经）
据报道，SK海力士表示，计划今年下半年向客户提供HBM4E样品，目标是在2027年实现HBM4E量产。该公司称，预计未来三年来自客户的HBM需求将远超过公司的HBM产能。（界面）
4月23日，SK海力士在财报中表示，存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性，进而推动整体服务规模的扩大，这将进一步拉动存储器需求。基于此，公司预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境。截至2026财年第一季度末，该公司现金及现金等价物环比增加19.4万亿韩元，达到54.3万亿韩元。（界面）
SK海力士发布一季度财报。报告显示，第一季度营收为52.6万亿韩元，预期为53.6万亿韩元；第一季度净利润为40.3万亿韩元，预期为30.4万亿韩元；第一季度运营利润为37.61万亿韩元，预期为35.7万亿韩元。第一季度DRAM平均销售价格较第四季度上涨约60%；一季度NAND平均销售价格较第四季度上涨约70%。（财联社）
据报道，SK海力士将投资19万亿韩元建设新的芯片工厂，先进封装工厂将于四月开工建设。（财联社）
SK海力士周一表示，该公司将开始量产专为Nvidia公司的Vera Rubin芯片设计的Small Outline Compression Attached Memory Module2(SOCAMM2)。SOCAMM2 是一种将以前主要用于智能手机等移动产品的低功耗内存改用于服务器环境的模块。它旨在成为下一代人工智能服务器的主要内存解决方案。（新浪财经）